辉芒微FT61E135−Tab代理

FT61E135−Tab

8−bit CPU (EEPROM)  37 条 RISC 指令: 2T or 4T  16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.5)  多达 20 个引脚 Memory  PROGRAM: 3k x 14 bit (读/写保护)  DATA: 128 x 8 bit (读保护)  RAM: 256 x 8 bit  8 层硬件堆栈  用户密匙：Hex 加密/代码执行 工作条件 (5V, 25°C)  VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整，0°C 以上 ≤1.7V)  工作温度等级 − 40 − + 85 °C  低 Standby 0.2 μA  WDT 1.5 μA  正常模式 (16 MHz) 190 μA/mips  低功耗模式 (32 kHz) 9 μA 高可靠性  10 万次擦写次数 (typical)  > 20 年 / 85°C 存储 (typical)  ESD > 8 kV, > 5.5 kV ADC (12−bit)  12−bit 精度 (≤ 2 MHz ADC 时钟)  8 + 1 通道  VADC−REF  内部： 0.5, 2.0, 3.0, VDD  外部: +, − 可选  自动阈值比较和中断 PWM (Total 4)  支持在 SLEEP 下运行  共 4 个通道 (相同周期) ：  独立：占空比，极性  1 个通道 (多达 6 个 I/O)：  互补输出+死区  自动故障刹车 (I/O, LVD, ADC)  XOR, XNOR * 2 功能  单脉冲模式；蜂鸣器模式 Timers  WDT (16−bit): 7−bit 后分频  Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频  Timer1 (12−bit)  Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频  支持在 SLEEP 下运行  LIRC, 1 or 2x {指令时钟, HIRC, 晶振}, 2x EC I/O PORTS (多达 18 个 I/O)  上拉/下拉电阻  开漏  8 个 I/O 源电流: 3, 6 or 18mA (5V, 25°C)  8 个 I/O 漏电流: 35 or 53 mA (5V, 25°C)  8 个 I/O: 中断/唤醒 电源管理  SLEEP  LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)  LVD: 1.2, 1.8, 2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 4 (V) (LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能) 系统时钟 (SysClk)  HIRC 高速内部振荡器  16MHz <±1.5% typical (2.5−5.5V, 25°C)  可微调  1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频  LIRC 低功耗低速内部振荡器  32 kHz 或 256 kHz  EC 外部时钟 (I/O 输入)  LP / XT 晶振输入  双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)  故障保护时钟监控 其他特性 (欢迎垂询)  ADC 较小分辨率为 0.12mV，精度为 0.24mV， 适用于电流检测  13.56 MHz 载波  用于锂电池的电压监控  ½ VDD LCD 偏置 集成开发环境 (IDE)  片上调试 (OCD)，ISP  3 个硬件断点  软复位，暂停，单步，运行等 封装  SOP8 DFN8 MSOP10 SOP14 SOP16 SOP20 TSSOP20 DIP20 QFN20 Fremont Micro Devices FT61E13x Rev1.01 - 2 - 2022-09-21 产品信息和选型表 型号 I/O 数 封装 FT61E131-Hab 8 DFN8 FT61E131B−ab 6 SOP8 FT61E13F−ab 8 MSOP10 FT61E132A−ab 12 SOP14 FT61E133A−ab 14 SOP16 FT61E133B−ab FT61E135−ab 18 SOP20 FT61E135−Tab TSSOP20 FT61E135−Dab DIP20 FT61E135−Nab QFN2