热门搜索:
FT61E045-RB
特性 精简指令集架构 8 层硬件堆栈 x12bit 2T 或 4T 指令周期 4Kx14b 程序存储空间 i. 程序存储空间的 checksum 自动校验 ii. 可配置,User Option 256x8b 数据 EEPROM i. 数据 EEPROM 在应用编程 ii. 可配置,Factory Option 高耐用性 EEPROM 程序和数据 EEPROM 可经受 10 万次写操作 i. EEPROM 保存时间 > 40 年 256x8b SRAM 1 x 带 8 位预分频的定时器 0 1 x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1 1 x 带 8 位预分频的定时器 2 i. 慢时钟周期测量模式 增强性捕捉、比较和可编程“死区”时间的 PWM 模块 i. 时钟源可选:系统时钟或者是内部 32MHz 时钟 ii. 单次脉冲模式 iii. 较多 3 对带“死区”的 PWM 输出 4x12bit Timer,4x12bit PWM,支持 BUZZER 模式 i. 支持每组 PWM 的互补脉冲输出 ii. 时钟较快 32M iii. 外设时钟输出 1x9bit 可编程脉冲发生器(PPG) i. 两个重载寄存器 ii. 脉冲极性可选择 iii. 支持脉宽限制 iv. 支持不可重复触发模式 v. 手动触发方式和比较器结果触发方式 带 7 位预分频的 WDT,溢出频率范围为 16ms-256s 上电延迟计数器 PWRT 低功耗模式 SLEEP 多个唤醒源,外部中断 INT、端口变化中 断、WDT 和数据 EEPROM 写完成, 等等 i. 可配置硬件去抖的外部中断 INT 内置高速 16M RC 振荡器 内置低速 32K RC 振荡器 支持外部晶振 16M 或 32K, 外部时钟模式 i. 时钟缺失 ii. 双速启动模式 内置 10 位的 ADC,支持 8 个通道 (7 个外 部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道) i. 参考电压可选:外部 Vref, VDD, 内部 2V/3V ii. 可配置,Factory Option 内置 6 个高速高精度比较器 i. 可编程的参考电压 ii. 比较可直接输出 iii. 比较结果可配置去抖 iv. 输入失调电压可校准 v. 迟滞控制 (比较器 0/1/2/3) 1x 运算放大器, 支持软件校准输入失调电压 低电压复位 LVR: i. 2.0/2.2/2.5/2.8/3.1/3.6/4.1V 低电压检测 LVD: i. 2.0/2.4/2.8/3.0/3.6/4.0V 3 对 USB 充电端口: i. **充电端口 DC+/DCii. 充电下行端口 DA+/DA-,DB+/DBiii. 支持 QC2.0 和 QC3.0 以及苹果、三 星设备 iv. 较多同时对两个设备充电 v. 集成 D2I 模块 较多 18 个通用 IO, 20 个芯片管脚 i. 所有 IO 带独立上拉控制 ii. 4 个 IO 带独立下拉控制 下降沿中断,RA0-RA7 支持在系统编程 ICSP 支持在线调试,3 个硬件断点 程序空间保护 工作电压范围:2.0V- 5.5V 较大时钟工作频率:16MHz i. FSYS=8MHz(2T mode): 2.0V-5.5V ii. FSYS=16MHz(2T mode): 2.7V-5.5V 封装类型:SOP14, TSSOP14, SOP16, SOIC20, SSOP20, PDIP20, QFN20