辉芒微FT61E141- ab代理

FT61E141- ab

8−bit CPU (EEPROM)  49 条 RISC 指令: 2T or 4T  16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.7)  多达 20 个引脚 Memory  PROGRAM: 4k x 14 bit (读/写保护)  DATA: 128 x 8 bit  RAM: 512 x 8 bit  16 层硬件堆栈  扇区加密, 支持 IAP 工作条件 (5V, 25°C)  VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整，0°C 以上 ≤1.7V)  工作温度等级 − 40 − + 85 °C  低 Standby 0.4 μA  WDT 3.1 μA  正常模式 (16 MHz) 286 μA/mips 高可靠性  10 万次擦写次数 (typical)  > 20 年 / 85°C 存储 (typical)  ESD > 7 kV, > 5.5 kV ADC (12−bit)  12−bit 精度 (≤ 2 MHz ADC 时钟)  7 + 1 通道  VADC−REF  内部： 0.5, 2.0, 3.0, VDD  外部： +, − 可选  自动阈值比较 PWM (Total 7 路)  支持在 SLEEP 下运行  7 个捕获/比较/PWM 通道：  独立：占空比，极性  3 个通道 (多达 6 个 I/O)：  互补输出+死区  自动故障刹车 (I/O, LVD, ADC)  边沿对齐，中心对齐  单脉冲模式 Timers  WDT (16−bit): 3−bit 预分频  Timer1 (16−bit): 16−bit 预分频  Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频  Timer4 (8−bit): 3−bit 预分频  自动重载  支持在 SLEEP 下运行  Sysclk, LIRC, 1 or 2x {HIRC, 晶振, EC} 通信接口  USART I/O PORTS (多达 18 个 I/O)  上拉/下拉电阻  开漏  18 个 I/O 源电流: 4, 8 or 26mA (5V, 25°C)  18 个 I/O 灌电流: 53 or 62 mA (5V, 25°C)  18 个 I/O: 中断/唤醒 电源管理  SLEEP  LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)  LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V) (LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能) 系统时钟 (SysClk)  HIRC 高速内部振荡器  16MHz <±0.5% typical (2.5−5.5V, 25°C)  可微调  1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128 分频  LIRC 低功耗低速内部振荡器  32 kHz 或 256 kHz  EC 外部时钟 (I/O 输入)  LP / XT 晶振输入  双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)  故障保护时钟监控 其他特性 (欢迎垂询)  ADC 较小分辨率为 0.12mV，精度为 0.24mV，适用于电流检测  ½ VDD LCD 偏置 集成开发环境 (IDE)  片上调试 (OCD)，ISP  3 个硬件断点  软复位，暂停，单步，跳跃等 封装  SOP8 MSOP10 SOP14 SOP16 SOP20 TSSOP20 QFN20 Fremont Micro Devices FT61E14x Rev1.01 - 2 - 2022-9-21 产品信息和选型表 型号 I/O 数 封装 FT61E141- ab 6 SOP8 FT61E14F- Mab 8 MSOP10 FT61E142- ab 12 SOP14 FT61E143- ab FT61E143A- ab 14 SOP16 FT61E143B- ab FT61E145- ab 18 SOP20 FT61E145A- ab FT61E145- Tab TSSOP20 FT61E145A- Tab FT61E145- Nab QFN20